什么是场效应_什么是场效应管

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上海积塔半导体申请场效应晶体管结构及其制备方法专利,降低沟槽...金融界 2024 年 9 月 17 日消息,天眼查知识产权信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“场效应晶体管结构及其制备方法“,公开号 CN202410798756.9,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本发明提供一种场效应晶体管结构及其制备方法。场效应晶体管结构制备方法包括...

∩△∩ 深圳市思远半导体取得场效应管相关专利,兼顾场效应管的打开速度和...金融界 2024 年 9 月 6 日消息,天眼查知识产权信息显示,深圳市思远半导体有限公司取得一项名为“场效应管的开关电路、控制方法及芯片“,授权公告号 CN117155366B,申请日期为 2023 年 1 月。专利摘要显示,本发明实施例公开了场效应管的开关电路、控制方法及芯片,其中,开关电路...

合肥艾创微取得一种氧化镓场效应晶体管专利,能改善器件的转换效率...金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,合肥艾创微电子科技有限公司取得一项名为“一种氧化镓场效应晶体管“,授权公告号 CN21632572U,申请日期为 2024 年 1 月。专利摘要显示,本实用新型提供一种氧化镓场效应晶体管,包括氧化镓基片、源极区、漏极区以及栅极...

安徽长飞先进半导体申请碳化硅场效应晶体管相关专利,提高栅极沟槽...金融界 2024 年 8 月 30 日消息,天眼查知识产权信息显示,安徽长飞先进半导体有限公司申请一项名为“碳化硅场效应晶体管及其制备方法、功率模块及车辆“,公开号 CN202410589414.6 ,申请日期为 2024 年 5 月 。专利摘要显示,本申请公开了一种碳化硅场效应晶体管及其制备方法、...

无需特殊眼镜,三星推出 Odyssey 3D 光场效应裸眼立体游戏显示器IT之家 8 月 21 日消息,三星电子今日宣布在 gamescom 2024 科隆游戏展上推出 Odyssey 3D 光场效应三维立体游戏显示器。Odyssey 3D 显示器采用光场显示(IT之家注:Light Field Display)原理,通过前面板上的透镜为用户的左右双眼提供不同画面,使用户无需特殊眼镜即能观察到从 2D 内...

台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“,公开号CN202410175854.7,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽...

三星取得场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统专利,该...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统“,授权公告号CN111081549B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示,本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场...

三星申请场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法专利,提供了一种...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法“,公开号CN117790504A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法。该场效应晶体管结构包括:沟道结...

三星申请场效应晶体管结构专利,实现顺序连接的无源器件金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括无源器件或双极结型晶体管的场效应晶体管结构“,公开号CN117637742A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构,包括:衬底,其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺...

华峰测控取得场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法...金融界2024年7月11日消息,天眼查知识产权信息显示,北京华峰测控技术股份有限公司取得一项名为“场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法“,授权公告号CN108761284B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明公开了一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流...

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