什么金属是最好的导体

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三星申请半导体器件专利,金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏...一种半导体器件包括:在衬底上的有源区;彼此间隔开的多个沟道层;在衬底上的栅极结构;在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区;以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼...

台积电取得半导体器件专利,金属氧化物半导体器件以小于第一深度的...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件“,授权公告号CN112216693B,申请日期为2020年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物...

ゃōゃ ...技术需求,巩固高纯金属溅射靶材产品在半导体领域的核心竞争优势强大的核心装备以及全球化的技术支持、销售与服务体系,已经成为全球知名芯片制造企业的核心供应商之一,且随着芯片技术的创新突破及迭代,公司通过研发创新持续追踪国际先进集成电路技术节点,以满足客户需求,巩固公司高纯金属溅射靶材产品在半导体领域的核心竞争优势。本文...

长鑫存储取得接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构专利,...金融界2024年3月28日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“接触窗结构、金属插塞及其形成方法、半导体结构“,授权公告号CN114256136B,申请日期为2020年9月。专利摘要显示,一种接触窗结构、金属插塞及其形成方法,所述接触窗结构的形成方法、半...

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三星取得具有功函数金属的半导体器件专利,提供了具有功函数金属的...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“具有功函数金属的半导体器件“,授权公告号CN108447863B,申请日期为2016年1月。专利摘要显示,提供了具有功函数金属的半导体器件。所述半导体器件包括:基底,具有逻辑区域;活性区,位于逻辑区...

三大指数午后集体翻红,基本金属、半导体、汽车零部件板块走强钛媒体App 12月25日消息,三大指数午后集体翻红,基本金属、半导体、汽车零部件板块走强。

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百川导体2023年年度净利2654.54万025.97元;归属于挂牌公司股东的净利润26,545,403.04元。报告期内研发费用53,923,491.33元,上年同期46,400,491.91元,同比增加16.21%。挖贝网资料显示,百川导体的主要业务为以铜包钢、铜包铝、镀银线、CP线等为主的复合金属导体材料的研发、生产、加工和销售。本文源自挖...

?△? 华为公司申请自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法“,公开号CN117597786A,申请日期为2021年9月。专利摘要显示,本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor,MOS)器件,包...

(｀▽′) 龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...金融界2023年12月23日消息,据国家知识产权局公告,昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“,公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,...

∩＾∩ 台积电取得集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法专利,...金融界2023年12月16日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件及其制法“,授权公告号CN111115550B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属...