什么金属不会氧化_什么金属不会氧化

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京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“,公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管,该金属氧化物薄膜晶体管包括:设置在衬...

⊙＾⊙ ...能实现制造包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“三维(3D)双栅极半导体“,公开号CN117529817A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示,本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括...

动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,北京动力源科技股份有限公司取得一项名为“一种直流开关“的专利,授权公告号CN112332823B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导...

TCL科技申请金属氧化物的制备方法专利,有效提升发光器件的光电性能...金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置“,公开号CN117466253A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置,所述金属氧化物...

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...金属氧化物半导体器件承受及防护人体放电模型静电放电事件的能力金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“,授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本申请涉及一种集成电路器件,电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM...

≡(▔﹏▔)≡ 宁德时代申请电极活性材料专利,碳包覆的金属氧化物颗粒可提升电池...宁德时代新能源科技股份有限公司申请一项名为“电极活性材料、其制备方法、极片及电池“,公开号CN117441243A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示,该专利提供一种电极活性材料、其制备方法、极片及电池,电极活性材料包括碳包覆的金属氧化物颗粒,金属氧化物颗粒满足式(2...

TCL科技申请复合材料专利,可实现卤化铋修饰的金属氧化物薄膜光电器件与电子设备“,公开号CN117430092A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种复合材料、复合材料的制备方法、光电器件与电子设备,薄膜的材料包括经卤化铋修饰的金属氧化物,卤化铋的铋离子连接于金属氧化物的表面,在通电的条件下,复合材料存在Bi。本文源...

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京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置专利,可解决...金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置“,公开号CN117355947A,申请日期为2022年2月。专利摘要显示,一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域,可解决...

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龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...金融界2023年12月23日消息,据国家知识产权局公告,昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“,公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,...

国瓷材料申请金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法专利,提高...金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,山东国瓷功能材料股份有限公司申请一项名为“表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法“,公开号CN117402408A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明提供了一种表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液...

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