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上海华虹宏力申请P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法专利,...上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种P沟道分栅SONOS存储器阵列及其操作方法”的专利,公开号CN 118804598 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列,包括P型衬底;位于P型衬底内的N阱;位于N阱上的挨着的第一、第...

￣□￣｜｜ 上海华虹宏力申请P沟道SONOS存储器阵列及其操作方法专利,节省...上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“一种P沟道SONOS存储器阵列及其操作方法”的专利,公开号CN 118804599 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供一种P沟道SONOS存储器阵列,包括P型衬底;位于P型衬底内的N阱;位于N阱上的第一和第二多晶硅栅,第一...

英飞凌科技德累斯顿公司取得具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的...金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,英飞凌科技德累斯顿公司取得一项名为“具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT”的专利,授权公告号CN 109935632 B,申请日期为2018年12月。