v翻p墙n_v翻领上衣

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∩＾∩ ...的半导体发光器件的外延结构专利,提升发光元件的墙插效率和老化光衰n型半导体、有源层和p型半导体,所述有源层为低俄歇复合量子阱,所述低俄歇复合量子阱为阱层和垒层组成的周期结构,周期数为1～50,所述低... 碰撞转移给其他粒子,从而减少能量的消耗,使电子和空穴可以在更长的时间内停留在激光器中,从而提升发光元件的墙插效率和老化光衰。

捷捷微电取得一种带有过压斩波特性的可控硅芯片及其制备方法专利,...芯片包含中部的N型长基区N1,P型短基区P2、P3、P4、P5、P6、P7,隔离墙P1,扩磷区域N2(或扩磷区域N2、N3、N4)等。尤其所述的:P型短基区P4与P2、P3之间由N型长基区N1隔开,P型短基区P7与P5、P6之间由N型长基区N1隔开;P型短基区P4、P7与N型长基区N1形成可控硅的斩...

ˇ▽ˇ 东微半导申请半导体功率器件制造方法专利,可在n型外延层内形成浅沟槽包括:在n型外延层内形成浅沟槽;在所述浅沟槽的侧壁处形成绝缘侧墙;在所述n型外延层内形成栅沟槽;在所述栅沟槽内形成栅极结构;进行倾斜的p型离子注入并退火,在所述n型外延层内形成p型体区;进行倾斜的n型离子注入,在所述p型体区内形成n型源区;淀积形成绝缘介质层并刻蚀形成接...