什么金属是电阻最好的

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...解决电池金属化技术存在的遮光面积大、电阻大以及银浆使用量大等...天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其金属化方法“,公开号CN117637902A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本申请涉及光电技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法。以解决相关技术中电池金属化技术存在的遮光面积大、电阻大以及银浆使用量大等...

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星帅尔获得实用新型专利授权:“一种双金属片电阻值可变式热保护器”证券之星消息,根据企查查数据显示星帅尔(002860)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“一种双金属片电阻值可变式热保护器”,专利申请号为CN202321669608.4,授权日为2023年12月29日。专利摘要:本实用新型涉及一种双金属片电阻值可变式热保护器,主要用于制冷压缩机或其...

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＋△＋ 长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利,提高金属互连层中电阻的...通过在衬底上设置第一金属穿孔结构,针对该第一金属穿孔结构与衬底进行相应的工艺处理后,使得第一金属穿孔结构的顶表面与衬底的顶表面平齐,从而提高了金属互连层中电阻的均匀性,在设置多层器件时,该制作方法得到的金属互连层能够保证与其相邻层器件之间电连接的可靠性。本...

哪种金属电阻最低

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...方法专利,可以降低沟道与接触金属之间的接触电阻,提高晶体管的性能重掺杂金属化合物二维材料与沟道层的侧面接触,重掺杂金属化合物二维材料沉积于第一高K介电层之上,且沉积厚度高于沟道层的厚度,本申请提供的晶体管,可以降低沟道与接触金属之间的接触电阻,提高晶体管的性能。本文源自金融界

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...(MOM)电容器中的线路后端(BEOL)高电阻(HI-R)导体层专利,实现高...金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“金属氧化物金属(MOM)电容器中的线路后端(BEOL)高电阻(HI-R)导体层“,公开号CN117178356A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,公开了一种金属氧化物金属(MOM)电容器及其制造方法。MOM...

...电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体器件...金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“,授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本申请涉及一种集成电路器件,电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM...

三星申请可变电阻存储器件专利,提供可变电阻存储器件和/或包括其的...三星电子株式会社申请一项名为“可变电阻存储器件和包括其的电子设备“,公开号CN117597016A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括:包括具有大于或等于约9%的缺氧率的金属氧化物的电阻变化层;在所述...

新莱福申请氧化锌环形压敏电阻器及其电极烧渗所用银浆专利,减少...广州新莱福新材料股份有限公司申请一项名为“一种氧化锌环形压敏电阻器及其电极烧渗所用银浆“,公开号CN117238552A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种氧化锌环形压敏电阻银浆,其特征为,该电阻银浆包括:贵金属微粉、有机粘结剂、有机溶剂、助剂、玻...

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长鑫存储取得半导体专利,显著降低接触结构的电阻授权公告号CN115433919B,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,本公开提供了一种半导体结构及其制备方法,通过结合第一沉积工艺和第二沉积工艺,能够形成完全覆盖接触孔的侧壁的钛金属层,进而有效降低氮化钛的用量、或是避免氮化钛的使用,进而显著降低接触结构的电阻。本文...

ˋ＾ˊ 16年中国成功掌握铁基超导技术,打破世界纪录,日本终究成过去式当导体的电阻随着温度的下降不断减小,即当温度降到临界温度Tc以下时,直流电阻突然消失至零(电阻突然跌至仪器测量范围地最小值之外,即可认定该电阻降至零),同时出现排斥磁场的反应。这种现象被称之为超导现象,具有超导性质的金属元素、合金、化合物,则被称之为超导体。1911...