什么金属不是导体_什么金属不是导体

*** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

...(3D)双栅极半导体专利,该专利技术能实现制造包括双栅极金属氧化物...金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“三维(3D)双栅极半导体“,公开号CN117529817A,申请日期为2022年4月。专利摘要显示,本发明公开了包括双栅极金属氧化物半导体(MOS)晶体管的半导体设备及其制造方法。该双栅极MOS晶体管包括...

⊙ω⊙ ...申请半导体叠层结构的制造方法及半导体结构专利,可以避免第一金属...合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体叠层结构的制造方法及半导体结构“,公开号CN117476549A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本公开涉及一种半导体叠层结构的制造方法及半导体结构,该方法包括提供衬底,于衬底的顶面形成沿第一方向延伸的第一金属结构...

...金属氧化物半导体器件承受及防护人体放电模型静电放电事件的能力金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“,授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,本申请涉及一种集成电路器件,电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM...

三星申请半导体装置专利,提高金属氮化物中金属和氮原子的比率金融界2024年2月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“,公开号CN117500266A,申请日期为2023年... 下电极包括包含第一金属的第一金属氮化物,衬垫膜包括包含第二金属的第二金属氮化物,第一金属在第一金属氮化物中的第一比率高于第二金...

动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...为提高直流开关中的金属‑氧化物半导体场效应晶体管的安全性而发明。包括开关主电路、驱动控制电路及开关采样电路,开关主电路包括MOS管,所述驱动控制电路的输入端用于连接控制器的输出端,驱动控制电路的输出端连接于MOS管;开关采样电路包括输入电压采样电路及输出电流...

ˇ＾ˇ

长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提高半导体产品良率长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117525031A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本公开涉及一种半导体结构及其制备方法,所述半导体结构包括:衬底,具有相对的第一表面及第二表面;金属垫,位于所述第二表面背离所述衬底的一侧;硅通孔...

ˋωˊ

台积电取得半导体器件及其制造方法专利,可以减少或消除分层损坏台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法“,授权公告号CN113539980B,申请日期为2021年3月。专利摘要显示,提供了半导体器件及其制造方法,其中,在半导体衬底上方附接半导体器件。在半导体衬底上方的金属化层和半导体衬底内形成开口,并且放置密...

≥△≤ 台积电申请半导体装置专利,实现在金属栅极结构的上方形成连续的...金融界2024年1月19日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置、其制造方法及形成连续的金属盖的方法“,公开号CN117423736A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,半导体装置包含:在半导体基板上方的栅极结构,具有高介电系数介电...

正泰电器申请石墨烯导体专利,提高金属材料与高含量的石墨烯的结合...金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,浙江正泰电器股份有限公司申请一项名为“一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法“,公开号CN117410013A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本申请涉及一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法,石墨烯导体包括:金属基材,形...

台积电申请半导体装置及其制造方法专利,实现在基底上方具有金属...台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法“,公开号CN117423621A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中,形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管,在隔离绝缘...