什么金属不会被氯离子腐蚀

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...取得等离子刻蚀清洗后中和清洗剂的制备方法专利,中和力强、对金属...其原料包括下列质量分数的组分:1%‑5%半胱氨酸、1%‑5%羟胺、0.1%‑0.5%EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1%‑1%表面活性剂B、0.1‑1%螯合剂和水,水补足余量;各组分质量分数之和为100%。本发明制备的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清...

ˋ△ˊ 上海新阳取得等离子刻蚀清洗后中和清洗剂在清洗半导体器件中的应用...的组分:1%‑5%半胱氨酸、1%‑5%羟胺、0.1%‑0.5%EO‑PO‑EO嵌段共聚物L31、0.1%‑1%表面活性剂B、0.1‑1%螯合剂和水,水补足余量;各组分质量分数之和为100%。本发明的中和清洗剂中和力强、对金属和介质层腐蚀速率低、对杂质离子的清除效果好。本文源自金融界

扬杰科技申请一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法专利,能够将镍(Ni)及...一种平面肖特基PSBD产品腐蚀方法,涉及半导体加工技术领域。本发明结构中不含有银(Ag),所以完全避免了芯片封装时银(Ag)离子迁移的问题;镍(Ni)作为表层金属带来的氧化问题,通过特定比例的混酸去除Ni金属的氧化物,在镍(Ni)表面再次发生氧化前将大部分的Ni去除,循环重复此操作...