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什么金属不易氧化_什么金属不易氧化

时间:2024-03-12 07:21 阅读数:4471人阅读

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什么金属不易氧化

比亚迪申请阳极氧化液、阳极氧化方法及氧化板专利,金属板材表面的...阳极氧化方法及氧化板“,公开号CN117661068A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明涉及阳极氧化技术领域,公开了一种阳极氧化液、阳极氧化方法及氧化板。所述阳极氧化液包括以下组分:碱、碱性盐、钼酸盐和/或钨酸盐、络合剂、缓冲剂和水。通过使金属板材与所述阳极...

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...公司生产ClearTherm催化加热器和金属固态氧化物燃料电池电堆/系统金融界3月1日消息,有投资者在互动平台向中环环保提问:你好,请问公司目前在氢能源领域都有哪些布局。公司回答表示:2023年公司投资参股美国Proof公司,Proof公司致力于研发以多样化的氢能为燃料的电动车催化加热器和金属支撑的固态氧化物燃料电池。随后,公司与Proof公司共同...

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华为公司申请自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“自对准通道金属氧化物半导体(MOS)器件及其制造方法“,公开号CN117597786A,申请日期为2021年9月。专利摘要显示,本发明涉及一种金属氧化物半导体(Metal‑Oxide‑Semiconductor,MOS)器件,包...

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 ̄□ ̄|| 国瓷材料申请金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液专利,体系稳定性高,...本发明提供的金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液,硅烷偶联剂与金属氧化物表面的羟基进行化学键合,键合后的基团不易掉落。体系中引入偶联媒提高硅烷偶联剂与金属氧化物粒子的化学接枝效率,进而提高金属氧化物粒子的亲脂性。本发明提供的金属氧化物粒子的有机溶剂型分散液静...

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京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管及显示面板专利,使得载流子迁移率...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管及显示面板“,公开号CN117546302A,申请日期为2022年3月。专利摘要显示,本公开的实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管,该金属氧化物薄膜晶体管包括:设置在衬...

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动力源取得直流开关专利,提高金属‑氧化物半导体场效应晶体管的...金融界2024年1月29日消息,据国家知识产权局公告,北京动力源科技股份有限公司取得一项名为“一种直流开关“的专利,授权公告号CN112332823B,申请日期为2020年10月。专利摘要显示,本发明的实施例公开了一种直流开关,涉及开关技术领域,为提高直流开关中的金属‑氧化物半导...

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∩ω∩ TCL科技申请金属氧化物的制备方法专利,有效提升发光器件的光电性能...金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置“,公开号CN117466253A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种金属氧化物的制备方法、发光器件与显示装置,所述金属氧化物...

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国瓷材料申请金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法专利,提高...金融界2024年1月17日消息,据国家知识产权局公告,山东国瓷功能材料股份有限公司申请一项名为“表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液及其制备方法“,公开号CN117402408A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明提供了一种表面改性的金属氧化物粒子的树脂型分散液...

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∩^∩ 京东方A申请金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置专利,可解决...金融界2024年1月5日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置“,公开号CN117355947A,申请日期为2022年2月。专利摘要显示,一种金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域,可解决...

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+0+ 龙腾光电申请金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法专利...金融界2023年12月23日消息,据国家知识产权局公告,昆山龙腾光电股份有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法“,公开号CN117276195A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,...

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