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扬杰电子申请一种具有空穴截止区的SiC MOSFET及制备方法专利,...一种具有空穴截止区的SiC MOSFET及制备方法,涉及半导体技术领域。本发明在器件中P‑body区下部和PP区底部的位置通过形成截止区的N+区,使器件PN结体二极管在续流过程中,作为截止区的N+区会将PP区的空穴截止,避免其进入到SiC Drift层。这样减小了PP区空穴与SiC Drift层...

华为公司取得PN结及调制器专利,提高调制效率满足更高光信号调制...正文:金融界11月7日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司取得一项名为“PN结及调制器”,公开号CN113629129B,专利申请日期为2020年。专利摘要显示,本申请实施例提供一种PN结及调制器。PN结通过所述N型区域位于所述第二P型区域中,且所述N型区域的延伸方向垂直...

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北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法...北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“,公开号CN117558620A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法,属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界...