强氧化离子水是什么_强氧化离子水是什么

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太和水取得ZrO2催化氧化甲壳素制备有机酸的方法专利,提高有机酸...上海太和水科技发展股份有限公司取得一项名为“一种ZrO2催化氧化甲壳素制备有机酸的方法“,授权公告号CN116003247B,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,该方法在高压反应釜中进行,将底物NAG、催化剂ZrO2、氧化剂过氧化氢以及去离子水依次加入薄壁玻璃圆柱型容器中...

兴业科技获得发明专利授权:“一种基于胶原蛋白的磺化耐UV复鞣剂的...加入去离子水,碱,加入氧化钙、聚氯化铝、聚丙烯酰胺絮凝沉淀,过滤,取滤液,加入硫酸调节pH值至6‑8,真空干燥得到胶原蛋白粉末;加入氯化锰、氯化铝、氯化钛、2‑联噻吩‑5,5‑二羧酸、胶原蛋白粉末等置于N,N‑二甲基甲酰胺、乙醇、水和硝酸的混合溶液中,混匀,过滤,干燥,制得耐...

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ˇ﹏ˇ 安集科技申请氧化铈专利,高的抛光速率和平坦化效率股份有限公司申请一项名为“一种氧化铈的表面处理方法、一种氧化铈及其用途“,公开号CN202211595667.1,申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种氧化铈的表面处理方法,包括S1:将第一添加剂加入去离子水中,搅拌均匀后,加入氧化铈颗粒,然后将溶液转移至超声槽...

∩０∩ 盐湖股份申请杂多酸-二氧化硅复合吸附剂及铷吸附材料专利,杂多酸-二...青海盐湖工业股份有限公司申请一项名为“杂多酸-二氧化硅复合吸附剂的制备方法及铷吸附材料“,公开号 CN202410574251.4 ,申请日期为2024年5月。专利摘要显示,本发明涉及杂多酸‑二氧化硅复合吸附剂的制备方法及铷吸附材料,包括第一步骤(S1),将模板剂溶解于去离子水中,加...

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...专利,能够有效刻蚀硅锗基材料,同时避免对氧化硅和氮化硅等的刻蚀申请日期为2022年12月。专利摘要显示,本发明提供了一种蚀刻组合物,包括氧化剂,含氟化合物,pH调节剂,含氨基硅氧烷化合物或铵盐,去离子水。采用本发明的蚀刻组合物,能够有效刻蚀硅锗基材料,同时避免对氧化硅和氮化硅等的刻蚀,操作窗口较大,在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用...

惠城环保取得高水热稳定性的杂原子 ZSM-5 分子筛的制备方法专利,...具体公开了一种高水热稳定性的杂原子 ZSM‑5 分子筛的制备方法。包括以下步骤:将氢氧化钠溶于去离子水中并加到 30%的硅溶胶溶液中,搅拌;然后加入十八水合硫酸铝溶液;再然后加入硫酸溶液。将铜盐溶液与有机胺均匀混合后逐滴加入到上述溶液中,然后加入 ZSM‑5 晶种,获得白...

烨隆股份申请一种铝合金件去毛刺的工艺专利,能应用于绝大部分铝...步骤 S2.称取氢氧化钠和去离子水,随后将去离子水加入氢氧化钠配成氢氧化钠水溶液;步骤 S3.将电解槽中加入氢氧化钠水溶液,并将铝合金件浸入氢氧化钠水溶液中,随后将电解槽通电进行去毛刺处理。本发明的铝合金件去毛刺的工艺,将铝合金件浸入氢氧化钠溶液中通过通电的方式加速...

厦钨新能申请正极材料及其制备方法和电池专利,能有效抑制电解液的...藻酸丙二酯和去离子水进行搅拌反应,直至形成胶状物一次煅烧,得到前驱体;将有机磷源加入到氧化胺水溶液中,得到混合溶液;将前驱体加入到混合溶液中,加入阳离子溶液;二次煅烧,得到正极材料。本申请制备的正极材料包括主体材料和包覆层,主体材料物相纯度较高,消除了Li0.4Ni1.6O2...

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金宏气体申请一种二氧化碳中微量水份去除方法专利,能够将水份含量...包括以下步骤:先将四丙基氢氧化铵和去离子水混合均匀,得溶液 A;将偏铝酸钾溶于溶液 A,得溶液 B;将正硅酸乙酯滴加入溶液 B 中,搅拌,混合;将溶液 C 转移至水热釜中反应至少 2h,反应结束后取出反应物,水洗、离心分离、烘干;继续升温至 550℃,煅烧至少 2h,得 K‑ZSM‑5;配置乙醇钾的...

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?ω? 嘉乐威申请一种抗菌复合聚异戊二烯手套的制备方法专利,制得的抗菌...包括以下步骤:制备改性纳米氧化硅;将改性纳米氧化硅分散于去离子水中制得改性纳米氧化硅分散液,然后将其加入到聚异戊二烯胶乳中搅拌混合均匀,然后加入稳定剂、水性聚氨酯乳液、硫化剂以及促进剂,搅拌混合均匀,制得浸渍液;将手套模具清洗、烘干后在凝固液中进行一次浸渍处理...