结构性存款什么时候停止_结构性存款什么时候停止

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青岛海存微电子申请磁存储结构及其制造方法专利,增大工艺窗口本公开提供一种磁存储结构及其制造方法,涉及半导体技术领域,用于解决现有底钉扎结构的磁存储器工艺可行性差和写入效率低的问题。该磁存储结构包括:衬底、磁隧道结、自旋轨道矩层、刻蚀停止层、介质结构和异形电极;介质结构包裹磁隧道结侧壁和自旋轨道矩层侧壁,且其上表面...

≥△≤ 无锡舜铭存储申请3D铁电存储器结构及其制造方法专利,保证电容电极...本发明公开一种3D铁电存储器结构的制造方法,包括:提供半导体衬底;形成第一互连结构,包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层;在第一介质层表面依次形成刻蚀停止层、第二介质层、第三介质层和硬掩模层,其中第二介质层的刻蚀速率低于所述第三介质层;在第二...

旺宏电子申请存储器元件及其制造方法专利,可实现存储器元件的高效...旺宏电子股份有限公司申请一项名为“存储器元件及其制造方法”的专利,公开号 CN 118829227 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本公开是一种存储器元件及其制造方法,该存储器元件包括:在基底上的第一互连结构、第二互连结构、堆叠结构、停止层以及多个通道柱结构。所...