专用三极管批发

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三极管、MOS管、IGBT:长得像,用起来差别竟然这么大?朋友们大家好,我是大俵哥!今天咱们来聊聊电子电路里的“三巨头”——三极管、MOS管、IGBT。它们长得像,但用起来差别可大了!很多朋友容易搞混,今天我就用大白话给大家讲清楚,保证一听就懂!1. 三极管(BJT) 像个老式水龙头基极(B):就像水龙头的开关手柄,你得用手使劲拧(给个小...

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揭秘三极管与MOS管的奥秘:从结构到性能,一文看懂差异!在电子电路设计与应用中,三极管和MOS管是极为重要的半导体器件,它们各自具有独特的特性和应用场景。了解这两者之间的区别对于正确选择和使用这些器件至关重要。 一、结构与工作原理 (1)三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件,包括基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。它...

详解三极管,MOS管区别在电子电路设计与应用中,三极管和MOS管是极为重要的半导体器件,它们各自具有独特的特性和应用场景,了解它们之间的区别对于正确选择和使用器件至关重要。 一、结构与工作原理 (1)三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件,包括基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。它主要有...

MOS管与三极管的区别详解:结构、工作原理及应用全面对比在电子电路设计与应用中,三极管和MOS管是两种极为重要的半导体器件。它们各自具有独特的特性和应用场景,深入了解它们之间的区别对于正确地选择和使用这些器件至关重要。 一、结构与工作原理 (1)三极管 三极管是一种具有三个电极的半导体器件,包括基极(B)、发射极(E)和集电...

合科泰申请一种三极管生产测试设备专利,能够在三极管测试过程中...金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市合科泰电子有限公司申请一项名为“一种三极管生产测试设备”的专利,公开号 CN 118707281 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本发明提供一种三极管生产测试设备,涉及三极管测试领域,包括:测试箱;所述测试箱顶部固...

海创微电子取得三极管生产用定位装置专利,提高三极管生产效率金融界2024年9月27日消息,国家知识产权局信息显示,海创微电子(盐城)有限公司取得一项名为“一种三极管生产用定位装置”的专利,授权公告号CN 221766726 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型提供一种三极管生产用定位装置。所述三极管生产用定位装置包括:装...

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天林石无二申请半导体三极管引线支架氧化保护装置专利,实现防止...金融界2024年11月21日消息,国家知识产权局信息显示,石家庄天林石无二电子有限公司申请一项名为“一种半导体三极管引线支架氧化保护装置”的专利,公开号CN 118976652 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体三极管引线支架氧化保护装置,涉及半导体...

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万权电子取得便于散热的贴片三极管专利,可防止内部升温保持工作效率金融界2024年11月12日消息,国家知识产权局信息显示,万权电子科技(杭州)有限公司取得一项名为“一种便于散热的贴片三极管”的专利,授权公告号 CN 221977920 U,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种便于散热的贴片三极管,涉及贴片三极管技术领域,包括封...

史巴克电子申请二极管三极管电气性能检测及不良品剔除装置专利,...金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,史巴克电子(南通)有限公司申请一项名为“二极管三极管电气性能检测及不良品剔除装置”的专利,公开号CN 118904770 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明涉及电气检测技术领域,具体涉及一种二极管三极管电气性能...

安徽辰达半导体申请半导体三极管生产用焊接装置专利,提高三极管的...金融界2024年10月25日消息,国家知识产权局信息显示,安徽辰达半导体有限公司申请一项名为“一种半导体三极管生产用焊接装置”的专利,公开号CN 118809066 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体三极管生产用焊接装置,包括底板以及通过支撑腿固定设...